حافظه های SSD از فلش مموری استفاده می کنند؛ نوعی چیپ که دیتا را در سلول های حافظه کوچک نگهداری می کند. نخستین بار که فلش مموری از راه رسید هر سلول تنها می توانست یک صفر یا یک را ذخیره کند (یعنی یک بیت). اما این چیپ ها به قدری بهبود داده شدند که ظرفیت شان به دو، سه، و حالا چهار لایه یا سطح رسید؛ این یعنی حالا هر سلول میتواند ۱۶ بیت را در خود ذخیره کند.
با وجود این پیشرفت چشمگیر اینتل روز چهارشنبه این هفته اعلام کرد مشغول ساخت تکنولوژی تازه ایست که این ظرفیت را به پنج برابر میزان فعلی می رساند و آن چیزی نیست جز سل ها پنج لایه.
فرانک هدی از گروه راهکارهای حافظه غیر فرار اینتل در این باره گفت:
سلول های پنج لایه ضمن اینکه تراکم دیتای قابل ذخیره سازی در فلش مموری را بالا می برند هزینه کمتری نسبت به سلول های چهارسطحی خواهند داشت.
این دستاورد از اهمیت بالایی برخوردار است اما باید درنظر داشت که اینتل در این مسیر تنها نخواهد بود. برای مثال توشیبا که از دیگر پیشروهای صنعت فلش مموری محسوب می شود چند ماه پیش از فلش مموری سلول پنج سطحی خود رونمایی کرد. امید می رود که با داغ شدن رقابت در این زمینه و ارائه نوآوری های بیشتر قیمت پی سی، موبایل و دیگر گجت های الکترونیک دست کم تا دو سال دیگر کاهشی چشمگیر پیدا کند.
البته اینتل مشخص نکرده که این تکنولوژی جدید را چه زمانی به مرحله تجاری سازی در می آورد یا چطور قرار است که این مساله بر هزینه ها تاثیر بگذارد. این شرکت در بیانیه خود اعلام کرد که هم اکنون مشغول تست فناوری مذکور است.
سازندگان چیپ های حافظه مدتی است که تلاش دارند با کمک تکنولوژی انباشت سه لایه ده ها لایه از سلول های فلش مموری را به محصولات خود اضافه کنند. فلش مموری های سال ۲۰۱۹ اینتل برای مثال از انباشت ۹۶ لایه سلول های چهارلایه روی هم ساخته می شود و آنطور که مدیران این شرکت وعده داده اند تا سال ۲۰۲۰ این رقم به ۱۴۴ لایه خواهد رسید.
منبع : دیجیاتو
